خطوات الاستخدام
الخطوة الأولى: فهم المعادلة الأساسية. تعتمد حسابات المشتت الحراري على معادلة التوازن الحراري: Tj = Ta + P * (Rth_jc + Rth_sa). حيث Tj هي درجة حرارة الوصلة القصوى المسموح بها، Ta هي درجة حرارة المحيط، P هي القدرة الكهربائية المبددة، Rth_jc هي المقاومة الحرارية من الوصلة إلى غلاف المكون، وRth_sa هي المقاومة الحرارية من المشتت إلى المحيط (وهي القيمة المطلوب حسابها). هذه المعادلة تفترض انتقال الحرارة في حالة ثابتة (Steady State) دون اعتبار للسعة الحرارية. يجب عليك معرفة القيم الحدية من كتالوج المكون، فمثلاً معالج دقيق قد يتحمل Tj = 100°C كحد أقصى. أدخل درجة حرارة الوصلة القصوى المسموح بها (Tj) بدرجات مئوية أو كلفن، مع مراعاة أن الفرق هو نفسه.
الخطوة الثانية: تحديد درجة حرارة المحيط (Ta) والقدرة المبددة (P). درجة حرارة المحيط هي أقصى درجة حرارة متوقعة للهواء حول المشتت، وعادة ما تكون 25°C في الظروف المعملية أو 40-50°C داخل صندوق إلكتروني مغلق. القدرة المبددة هي الطاقة الحرارية التي يولدها المكون، وتقاس بالواط. يمكن حسابها من الجهد والتيار (P = V*I) أو من معطيات الكتالوج. تأكد من إدخال قيمة واقعية لأن التقليل من شأنها يؤدي إلى مشتت غير كافٍ.
الخطوة الثالثة: إدخال المقاومة الحرارية من الوصلة إلى الغلاف (Rth_jc). هذه القيمة توفرها الشركة المصنعة في ورقة البيانات (Datasheet) وتمثل مقاومة انتقال الحرارة من شريحة السيليكون إلى سطح المكون. تتراوح عادة بين 0.5 و 5 °C/W حسب نوع المكون وعلبته. كلما كانت أقل، كان أفضل. إذا كنت تستخدم مادة واجهة حرارية (TIM) بين المكون والمشتت، فيجب إضافة مقاومتها (Rth_cs) أيضاً، لكن هذه الحاسبة قد تتجاهلها لتبسيط الحساب. في حال وجودها، يمكنك طرحها لاحقاً أو إضافتها كمعامل.