خطوات الاستخدام
الخطوة الأولى: فهم المعاملات المدخلة. معامل توصيل مستقبلات AMPA (gAMPA) يُقاس بوحدة النانوسيمنز (nS) ويعبر عن شدة التيار الأيوني الذي يمكن أن يمر عبر القنوات عند فتحها. جهد الغشاء (Vm) هو جهد الراحة للخلية العصبية (عادة سالب، مثل -65 mV). هذان المعاملان أساسيان لحساب سعة جهد ما بعد المشبك الاستثاري (EPSP).
الخطوة الثانية: قوة الدفع الأيونية. يعتمد التيار الأيوني عبر مستقبلات AMPA على قانون أوم المشبكي: I_syn = gAMPA × (Vm − E_rev). بالنسبة لمستقبلات AMPA يكون جهد الانعكاس E_rev قريبًا من الصفر (0 mV) لأنها تمرّر الصوديوم والبوتاسيوم بشكل متساوٍ تقريبًا، فتكون قوة الدفع (E_rev − Vm) مساوية لمقدار جهد الراحة (نحو 70 mV). التيار الناتج داخلٌ (قيمته سالبة وفق اصطلاح «الخارج موجب») فيزيل استقطاب الغشاء. تنبيه وحداتي مهم: حاصل ضرب nS × mV يعطي بيكوأمبير وليس نانوأمبير، لذا لا يمكن تحويله إلى مللي فولت بضرب مباشر في MΩ — ولهذا تستخدم الحاسبة مجزِّئ الجهد الموصِّلي أدناه.
الخطوة الثالثة: حساب سعة EPSP. يُوضع المشبك كموصِّلية على التوازي مع موصِّلية التسريب الساكنة g_leak، فينتقل الغشاء إلى متوسط مرجّح بالموصلية بين جهدَي الانعكاس: ΔV = (gAMPA / (gAMPA + g_leak)) × (E_rev − Vm)، بافتراض موثّق لـ g_leak = 10 nS أي مقاومة دخل R_in = 100 MΩ. مثال: إذا كان Vm = -65 mV و gAMPA = 1 nS فإن ΔV = (1/11) × 65 = 5.9091 mV. بما أن الكسر (gAMPA/(gAMPA+g_leak)) يبقى أصغر من 1، فإن السعة لا تتجاوز أبدًا قوة الدفع نفسها — وهو سلوك الإشباع (shunting) الذي لا يصفه حساب I×R البسيط.