خطوات الاستخدام
أدخل قيمة IC50 (التركيز المثبط النصفي) التي تم الحصول عليها من تجربة تثبيط الربط. هذه القيمة تمثل التركيز الذي يثبط 50% من ربط الناهض المسمى. يتم قياس IC50 عادةً بوحدات نانومولار (nM) أو ميكرومولار (μM). كلما كانت قيمة IC50 أقل، زادت قوة التثبيط. لكن IC50 تعتمد على الظروف التجريبية مثل تركيز الناهض المسمى (Ligand). لذلك، من الضروري استخدام معادلة تشنغ-بروسوف لحساب Ki الحقيقي الذي يعبر عن ألفة المركب للمستقبل بغض النظر عن تلك الظروف.
أدخل تركيز الناهض المسمى (Ligand Concentration) المستخدم في التجربة. يجب أن يكون هذا التركيز معروفًا ومحددًا مسبقًا، وعادةً ما يكون قريبًا من قيمة Kd للناهض. يرمز له بالرمز [L] ووحدته نفس وحدات IC50. يؤثر هذا التركيز على قيمة IC50: فكلما زاد [L]، زادت IC50 الظاهرية لأن الناهض ينافس المركب المختبر على مواقع الربط. معادلة تشنغ-بروسوف تأخذ هذا التأثير في الاعتبار.
أدخل قيمة Kd (ثابت التفكك) للناهض المسمى. Kd هو تركيز الناهض الذي يشغل عنده نصف مواقع المستقبلات. يعبر عن ألفة الناهض نفسه للمستقبل (كلما قل Kd، زادت الألفة). يتم حساب Kd من تجارب تشبع الربط (Saturation Binding). هذه القيمة معروفة مسبقًا ومشتقة من أدبيات البحث أو تجارب سابقة.